Aleksandr Kostrov

Elementy Pamyati Na Effekte Tunnel'nogo Magnitosoprotivleniya: Printsipy Postroeniya I Kompaktnye Modeli Aleksandr Kostrov Russian edition

Razrabotka elementov pamyati, sochetayushchikh v sebe preimushchestva vsekh rasprostranennykh tekhnologiy khraneniya informatsii ? aktual'naya zadacha sovremennoy mikro- i nanoelektroniki. Optimal'noy s tochki zreniya sozdaniya universal'nogo zapominayushchego ustroystva yavlyaetsya tekhnologiya energonezavisimoy pamyati na effekte tunnel'nogo magnitosoprotivleniya, sochetayushchaya v sebe takie kachestva, kak khranenie dannykh neogranichennoe vremya bez neobkhodimosti regeneratsii, vysokoe bystrodeystvie, neogranichennoe chislo tsiklov chteniya/zapisi i vozmozhnost' sovmeshcheniya s KMOP tekhnologicheskim protsessom izgotovleniya. V knige rassmatrivayutsya konstruktsii zapominayushchikh ustroystv, elektricheskie ekvivalentnye skhemy yacheek pamyati. Opisana dinamicheskaya kombinirovannaya model' yacheyki na osnove struktur ferromagnetik/dielektrik/poluprovodnik, otlichayushchayasya uchetom pereklyucheniya namagnichennosti ferromagnitnogo sloya magnitnym polem, a takzhe makromodel' dlya ispol'zovaniya v sostave programmnykh kompleksov proektirovaniya IMS. Kniga prednaznachena dlya inzhenerov i nauchnykh sotrudnikov, a takzhe mozhet byt' polezna dlya aspirantov i studentov starshikh kursov, ispol'zuyushchikh modeli elektronnykh elementov v svoikh issledovaniyakh.